MHT1008NT1
NXP USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | MHT1008NT1 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Freescale / NXP Semiconductors |
Teil der Beschreibung.: | RF MOSFET LDMOS PLD1.5W |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Nennwert | 28 V |
Technologie | LDMOS |
Supplier Device-Gehäuse | PLD-1.5W |
Serie | - |
Leistung | 12.5W |
Verpackung / Gehäuse | PLD-1.5W |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Rauschmaß | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 18.6dB |
Frequenz | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
Grundproduktnummer | MHT1008 |
MHT1008NT1 Einzelheiten PDF [English] | MHT1008NT1 PDF - EN.pdf |
IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ
IC RF AMP 915MHZ OM-780G-4L
NO DESCRIPTION
IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
IC RF AMP 2.45GHZ TO270
FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
300W 200MHZ TO-247-3L
IC LDMOS TRANS 120V NI-780S
MHT2000GN - RF LDMOS Integrated
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
300W 200MHZ TO-247-3L
IC RF AMP 915MHZ OM780-4
NO DESCRIPTION
NO DESCRIPTION
MHT1004N - RF Power LDMOS Transi
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MHT1008NT1NXP USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|